Tipo di transistor: MOSFET
Tipo di canale di controllo: canale N
Valutazioni massime assolute
Pd ? - Dissipazione di potenza massima: 15 W
|Vds|? - Tensione massima drain-source: 600 V
|Vgs|? - Tensione massima gate-source: 30 V
|Id| ? - Corrente di scarico massima: 0,7 A
Tj ? - Temperatura massima di giunzione: 150 °C
Caratteristiche elettriche
|VGSoff|? - Tensione minima di interruzione gate-sorgente: 2,5 V
Qg ? - Carica totale del gate: 4 nC
tr ? - Tempo di salita: 11 nS
Coss? - Capacità di uscita: 29 pF
RDSon? - Resistenza massima in stato attivo drain-source: 0,014 Ohm
Pacchetto: TP
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