Tipo di transistor: MOSFET
Tipo di canale di controllo: canale P
Valori massimi assoluti
Pd ? - Dissipazione di potenza massima: 75 W
|Vds|? - Tensione massima drain-source: 60 V
|Vgs|? - Tensione massima gate-source: 20 V
|Id| ? - Corrente di scarico massima: 30 A
Tj ? - Temperatura massima di giunzione: 150 °C
Caratteristiche elettriche
|VGSoff|? - Tensione di cutoff minima gate-source: 1 V
tr ? - Tempo di salita: 150 nS
Coss? - Capacità di uscita: 1300 pF
RDSon? - Resistenza massima drain-source in stato attivo: 0,037 Ohm
Pacchetto: LDPAK
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