L'H20R1203 è un transistor IGBT a conduzione inversa (Insulated Gate Bipolar Transistor) prodotto da Infineon Technologies, ampiamente utilizzato in applicazioni di potenza come i piani cottura a induzione. È noto anche con il codice IHW20N120R3 e presenta un diodo monolitico integrato.
Specifiche Tecniche Principali
Di seguito sono riportate le specifiche tecniche principali per l'Infineon H20R1203, basate sui datasheet del produttore:
Attributo Valore
Tensione Collettore-Emettitore (Vce) 1200 V
Corrente di Collettore Continua (Ic) 20 A (a 100°C), 40 A (a 25°C)
Tensione Gate-Emettitore (Vge) ±20 V (transitorio ±25 V)
Dissipazione di Potenza (Ptot) 310 W (a 25°C)
Tensione di Saturazione (Vce sat) 1.48 V (a 25°C)
Package TO-247
Applicazioni
Grazie alle sue caratteristiche di alta tensione, corrente e velocità di commutazione, l'H20R1203 è ideale per diverse applicazioni di elettronica di potenza:
Piani cottura a induzione
Forni a microonde con inverter
Convertitori risonanti
Applicazioni di soft switching
Inverter, UPS e saldatrici
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