Il 2SC5552 è un transistor NPN prodotto da Panasonic.
Transistor di potenza 2SC5552 Silicio NPN a tripla diffusione tipo mesa Per uscita a deflessione orizzontale Unità: mm ¦ Caratteristiche 15,5±0,5 f 3,2±0,1 5° 3,0±0,3 5° (4,5) 26,5±0,5 (2,0) (1,2) (10,0) (23,4) 22,0±0,5 • Alta tensione di rottura e alta affidabilità grazie all'uso di uno strato di passivazione in vetro • Commutazione ad alta velocità • Ampia area di funzionamento sicura 5° (4,0) 5° 2,0±0,2 5° 1,1±0,1 0,7±0,1 / ¦ Valori massimi assoluti TC = 25°C 18,6±0,5 (2,0) Saldatura a immersione 5,45±0,3 Parametro Simbolo Valore Unità e pe) Tensione collettore-base (emettitore aperto) VCBO 1 700 V c e.
d ty Tensione collettore-emettitore (EB in cortocircuito) VCES 1 700 3,3±0,3 5,5±0,3 V nd stag tinue Tensione collettore-emettitore (Base aperta) VCEO 600 (2,0) V ae cle con Tensione emettitore-base (Collettore aperto) VEBO 7 V lifecy , dis Corrente di base IB 8 A nu duct typed Corrente di collettore IC 16 A te tin Pro ed Corrente di collettore di picco * ICP 30 A ur tinu Dissipazione di potenza del collettore PC 65 W ing fo iscon Ta = 25°C 3,5 in n followed d Temperatura di giunzione Tj 150 °C s lan Temperatura di stoccaggio Tstg -55 a +150 °C ao clude pe, p Nota) *: Corrente di collettore di picco non ripetitiva M isccontinueindteinnance ty ¦ Caratteristiche elettriche TC = 25°C ± 3°C /Dis ma Parametro Simbolo Condizioni D tipo di ance, Corrente di cutoff collettore-base (emettitore aperto) Manutenzione Corrente di cutoff emettitore-base (collettore aperto) ain Rapporto di trasferimento corrente diretta dm Tensione di saturazione collettore-emettitore (piano Tensione di saturazione base-emettitore ICBO IEBO hFE VCE(sat) VBE(sat) VCB = 1 000 V, IE = 0 VCB = 1 700 V, IE = 0 VEB = 7 V, IC = 0 VCE = 5 V, IC = 8 A IC = 8 A, IB = 2 A IC = 8 A, IB = 2 A 10,9±0,5 5° 12 3 1: Base 2: Collettore 3: Emettitore EIAJ: SC-94 TOP-3E-A1 Contenitore Min Tip Max Unità 50 µA 1 mA 50 µA 6 12 ? 3 V 1,5 V Frequenza di transizione fT VCE = 10 V, IC = 0,1 A, f = 0,5 MHz 3 MHz Tempo di memorizzazione tstg IC = 8 A, Resistenza caricata 3,0 µs Tempo di caduta tf IB1 = 2 A, IB2 = -4 A 0,2 µs Nota) I metodi di misurazione si basano sullo STANDARD INDUSTRIALE GIAPPONESE JIS C 7030 per i transistor.
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