Lo STP23N60DM2 è un Power MOSFET a canale N ad alta tensione prodotto da STMicroelectronics, appartenente alla serie MDmesh DM2. Questo componente è progettato specificamente per applicazioni di commutazione ad alta efficienza grazie al suo diodo a recupero rapido integrato.
Specifiche Tecniche Principali
Sebbene i dati esatti per la variante specifica "23N" siano spesso accorpati in datasheet di famiglia (come quelli per le varianti da 18A a 28A), le caratteristiche tipiche della serie includono:
Tensione Drain-Source: 600 V.
Corrente di Drain: Tipicamente intorno ai 18-21 A a 25°C (basato su modelli correlati come STP24N60DM2).
Resistenza in conduzione: Valori tipici bassi, generalmente compresi tra 0.13 e 0.175 a seconda del modello specifico della serie DM2.
Package: Contenitore standard TO-220.
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